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High density reduced grapheneoxide (rGO) reinforced aluminum nitride (AlN) composites were successfully fabricated by on......
In this paper, the piezoelectric coefficient d33 of AlN thin films for MEMS applications was studied by the piezorespons......
氧化锆(ZrO2)陶瓷具有出色的机械性能,但其应用受到低热导率(Thermal Conductivity,TC)的限制.本研究设计并通过微波烧结制备了高......
毫秒和纳秒激光以其高可靠、高效率、低成本和可加工硬脆难加工材料的独特优势,成为加工氧化铝和氮化铝陶瓷的首选,在电子陶瓷基板......
研究通过等离子增强原子层沉积(PEALD)在不同沉积温度下生长的AlN温度对其特性的影响。前驱体是NH3和TMA, 在300 ℃、350 ℃和370 ......
为研究基于碳化硅(SiC)陶瓷封装的高功率半导体激光器的散热性能, 将其与常用的氮化铝(AlN)陶瓷进行对比, 使用基于结构函数法的热......
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The key parameters of vertical A1N Schottky barrier diodes (SBDs) with variable drift layer thickness (DLT) and drift la......
氮化铝（AIN）因具有高热导率、低介电常数、与硅相匹配的热膨胀系数及其他优良的物理特性，在新材料领域越来越引起人们的关注。此文主......
